用于测试半导体材料电阻率及方块电阻 ( 薄层电阻 )、功能材料暗电导和光电导及温度的变化的特性。

1、本底真空度：≤ 10Pa，真空可控范围：10 ～ 400Pa；

2、衬底加热温度：室温～ 300℃；

3、测量范围：电阻率：0.001 ～ 200Ω.cm； 电导率：0.005 ～ 1000 s/cm； 电阻：0.001 ～ 200Ω.cm；可测晶片直径：200mmX200mm 间距：1±0.01mm；针间绝缘电阻：≥ 1000MΩ；机械游移率：≤ 0.3%；探针：碳化钨或高速钢Ф0.5mm；探针压力：5 ～ 16 牛顿 ( 总力 )；

4、恒流源：电流量程分为 0.1、1、10、100(mA) 四档，各档电流连续可调；误差 <±0.5%；

5、数字电压表：量程：0 ～ 199.99mV；分辨率：10μV；四位半红色发光管数字显示；输入阻抗 >1000MΩ：精度 :±0.1%；

6、指针式高阻计：电阻测量范围：1×10 6 ～ 1×10 17 Ω；精度：±10%~±20%；

微电流测试：1×10 -5 ～ 1×10 -14 A；额定电压：10、100、250、500、1000V±5%。