MiniLab-30S PVD 薄膜沉积系统

应用领域:

该系统可用于开发纳米级的单层及多层功能膜和复合膜 , 可镀金属、合金、化合物、半导体、陶瓷膜、介质复合膜和其它化学 反应膜等。

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螺纹孔基片盘:样品托.jpg

基本配置:

◆真空腔室:350×400mm 不锈钢 D 形腔体。前门铰链方便真空室清理;腔室底板,顶部和侧面装有腔室内硬件接口;前 门上配直径 80 玻璃观察窗(含手动防污染挡板、可拆洗防污玻璃);腔体可选择水冷。 

◆抽气系统: 采用复合分子泵 + 直联旋片泵作为真空抽气系统; 主抽泵:分子泵抽速≥ 600L/S,氮气压缩比≥ 109 ; 前级泵:VRD-24 机械泵及电磁阀,抽速:6L/S 主抽阀: CCD-150 超高真空电动插板阀 

 * 真空系统可以升级为进口分子泵和涡旋干泵。 

◆真空测量:数显复合真空计: “两低一高”全量程数显复合真空计; 

* 真空测量可以升级为进口全量程冷阴极真空计 

◆极限真空:<5×10-5Pa ◆恢复真空:<6.7×10-4Pa(< 45 min) 

◆磁控溅射靶:(最多安装三个磁控溅射靶)磁控溅射靶磁路模块化设计;磁控靶可手动调节溅射角度,靶与基片的距离可调; 其中一个靶位可溅射磁性材料(如镍或铁等)靶材大小为直径 50.8mm,建议厚度≤ 5mm,靶材利用率超过 40%; 

◆镀膜方式:由下往上溅镀或从上往下溅射,可依需求采用 Confocal(共焦)或 Face-to-Face(面对面); 

◆溅射电源: 射频电源:功率 300W,输出频率:13.56MHz,全自动匹配 数量:1 台 直流电源:最大输出功率:500W;输出电压:0 ~ -800V 可调 数量:1 台 

◆工艺气路(可选):三路质量流量计控制的气路(Ar、O2、N2 )等 

◆样品台:可容纳样品最大尺寸:4 英寸样品托一个 , 配挡板,转速 0-30rpm 连续可调 ; 样品可加热控温, 温度范围:室温 -600℃,控温精度 ±0.5℃; ◆系统控制:15 英寸触摸屏 +PLC 控制(可选手动按钮)

选择配置:

◆样品台可水冷,采用直接式水冷形式,水冷不控温 

◆可选进口溅射电源 

◆磁控靶可选用欧美知名品牌 

◆全量程真空计 (Inficon) 

◆电容式隔膜真空计 ( 测量溅射工作压力 ) 

◆样品托 : 不锈钢、铝或铜,基片盘上有螺纹孔。

系统要求标准配置:

◆工艺气体 :25psi,纯度 99.99% 以上 

◆工作气体 : 干燥压缩空气、氮气 

◆电 源 : 单相 220V, 50Hz, 32A 

◆冷 冻 水 :18-25℃ , 3L/min,压力 <0.4MPa